Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип монтажа
Поверхностный монтаж
Выходное устройство
MOSFET
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Количество каналов
1
Количество контактов
8
Тип корпуса
PDIP
Тип входного тока
Пост. ток
Типичное время нарастания
60нс
Максимальный ток на входе
25 мА
Напряжение изоляции
5000 В (среднеквадратичное значение)
Логический вывод
Да
Типичное время затухания
60нс
Серия
FOD819
Информация о товаре
Optocoupler, IGBT/MOSFET Gate-Drive, Fairchild Semiconductor
Optocouplers, Fairchild Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип монтажа
Поверхностный монтаж
Выходное устройство
MOSFET
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Количество каналов
1
Количество контактов
8
Тип корпуса
PDIP
Тип входного тока
Пост. ток
Типичное время нарастания
60нс
Максимальный ток на входе
25 мА
Напряжение изоляции
5000 В (среднеквадратичное значение)
Логический вывод
Да
Типичное время затухания
60нс
Серия
FOD819
Информация о товаре