onsemi FGD3040G2-F085 IGBT, 41 A 300 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

Код товара RS: 807-0767Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FGD3040G2_F085
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

41 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±10V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor

These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 224,15

тг 844,83 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi FGD3040G2-F085 IGBT, 41 A 300 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 4 224,15
10тг 8 448,30
15тг 12 672,45
20тг 16 896,60
25тг 17 209,50
30тг 20 651,40
35тг 24 093,30
40тг 27 535,20
45тг 30 977,10
50тг 31 513,50
55тг 34 664,85
60тг 37 816,20
65тг 40 967,55
70тг 44 118,90
75тг 47 270,25

тг 4 224,15

тг 844,83 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi FGD3040G2-F085 IGBT, 41 A 300 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 4 224,15
10тг 8 448,30
15тг 12 672,45
20тг 16 896,60
25тг 17 209,50
30тг 20 651,40
35тг 24 093,30
40тг 27 535,20
45тг 30 977,10
50тг 31 513,50
55тг 34 664,85
60тг 37 816,20
65тг 40 967,55
70тг 44 118,90
75тг 47 270,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 844,83тг 4 224,15
25 - 45тг 688,38тг 3 441,90
50 - 245тг 630,27тг 3 151,35
250 - 495тг 522,99тг 2 614,95
500+тг 451,47тг 2 257,35

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

41 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±10V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor

These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.