Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.0000005mA
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
15.75мм
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.28мм
Ширина
4.82мм
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.0000005mA
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
15.75мм
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.28мм
Ширина
4.82мм