Nexperia PBSS4350T,215 NPN Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 518-1671Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PBSS4350T
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 938,70

тг 93,87 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia PBSS4350T,215 NPN Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 938,70
20тг 1 609,20
30тг 2 413,80
40тг 3 218,40
50тг 3 352,50
60тг 4 023,00
70тг 4 693,50
80тг 5 364,00
90тг 6 034,50
100тг 6 705,00
110тг 7 375,50
120тг 8 046,00
130тг 8 716,50
140тг 9 387,00
150тг 10 057,50

тг 938,70

тг 93,87 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia PBSS4350T,215 NPN Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 938,70
20тг 1 609,20
30тг 2 413,80
40тг 3 218,40
50тг 3 352,50
60тг 4 023,00
70тг 4 693,50
80тг 5 364,00
90тг 6 034,50
100тг 6 705,00
110тг 7 375,50
120тг 8 046,00
130тг 8 716,50
140тг 9 387,00
150тг 10 057,50

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 10тг 93,87тг 938,70
20 - 40тг 80,46тг 804,60
50 - 90тг 67,05тг 670,50
100 - 190тг 67,05тг 670,50
200+тг 58,11тг 581,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia