NXP PBSS4160DS,115 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
220 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1 x 3.1 x 1.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 3 039,60
тг 151,98 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 3 039,60
тг 151,98 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 151,98 | тг 3 039,60 |
| 100 - 180 | тг 116,22 | тг 2 324,40 |
| 200 - 380 | тг 102,81 | тг 2 056,20 |
| 400 - 980 | тг 80,46 | тг 1 609,20 |
| 1000+ | тг 71,52 | тг 1 430,40 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
220 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1 x 3.1 x 1.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.