Nexperia BCV47,215 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

Код товара RS: 725-8464PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: BCV47,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0001mA

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia BCV47,215 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia BCV47,215 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0001mA

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia