Nexperia BCP56,115 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
63
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
180 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 290,55
тг 58,11 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 290,55
тг 58,11 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 45 | тг 58,11 | тг 290,55 |
| 50 - 145 | тг 53,64 | тг 268,20 |
| 150 - 245 | тг 44,70 | тг 223,50 |
| 250 - 495 | тг 44,70 | тг 223,50 |
| 500+ | тг 44,70 | тг 223,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
63
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
180 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia