Nexperia BCM847DS Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-457 (SC-74)

Код товара RS: 816-7757Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BCM847DS
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-457 (SC-74)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Конфигурация транзистора

Токовое зеркало

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.1 x 1.7 x 1.1мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 793,75

тг 111,75 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Nexperia BCM847DS Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-457 (SC-74)
Select packaging type

тг 2 793,75

тг 111,75 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Nexperia BCM847DS Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-457 (SC-74)
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 2475тг 111,75тг 2 793,75
2500 - 12475тг 84,93тг 2 123,25
12500 - 24975тг 67,05тг 1 676,25
25000 - 74975тг 53,64тг 1 341,00
75000+тг 49,17тг 1 229,25

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-457 (SC-74)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Конфигурация транзистора

Токовое зеркало

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.1 x 1.7 x 1.1мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia