Nexperia BC859CW,115 PNP Transistor, -100 mA, -30 V, 3-Pin UMT
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 1 341,00
тг 26,82 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 1 341,00
тг 26,82 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 50 | тг 26,82 | тг 1 341,00 |
| 100 - 150 | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
| 200 - 350 | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
| 400 - 450 | тг 17,88 | тг 894,00 |
| 500+ | тг 17,88 | тг 894,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia