IXYS IXXH80N65B4H1 IGBT, 430 A 650 V, 3-Pin TO-247AD, Through Hole

Код товара RS: 168-4585Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXXH80N65B4H1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный непрерывный ток коллектора

430 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247AD

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

5 → 30кГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.34мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

5.2mJ

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXXH80N65B4H1 IGBT, 430 A 650 V, 3-Pin TO-247AD, Through Hole

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

P.O.A.

IXYS IXXH80N65B4H1 IGBT, 430 A 650 V, 3-Pin TO-247AD, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный непрерывный ток коллектора

430 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247AD

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

5 → 30кГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.34мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

5.2mJ

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.