Infineon IKW15N120H3FKSA1 IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 826-8223Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IKW15N120H3FKSA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

217 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.03 x 5.16 x 21.1мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 112,40

тг 2 056,20 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon IKW15N120H3FKSA1 IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 4 112,40
4тг 8 224,80
6тг 12 337,20
8тг 16 449,60
10тг 20 562,00
12тг 24 674,40
14тг 28 786,80
16тг 32 899,20
18тг 37 011,60
20тг 33 614,40
22тг 36 975,84
24тг 40 337,28
26тг 43 698,72
28тг 47 060,16
30тг 50 421,60

тг 4 112,40

тг 2 056,20 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon IKW15N120H3FKSA1 IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 4 112,40
4тг 8 224,80
6тг 12 337,20
8тг 16 449,60
10тг 20 562,00
12тг 24 674,40
14тг 28 786,80
16тг 32 899,20
18тг 37 011,60
20тг 33 614,40
22тг 36 975,84
24тг 40 337,28
26тг 43 698,72
28тг 47 060,16
30тг 50 421,60

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 18тг 2 056,20тг 4 112,40
20 - 48тг 1 680,72тг 3 361,44
50 - 98тг 1 644,96тг 3 289,92
100 - 238тг 1 537,68тг 3 075,36
240+тг 1 506,39тг 3 012,78

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

217 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.03 x 5.16 x 21.1мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.