Infineon FP35R12KT4B11BOSA1 3 Phase Bridge IGBT Module, 35 A 1200 V, 23-Pin ECONO2, PCB Mount
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
35 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
210 Вт
Конфигурация
3-фазный мост
Тип корпуса
ECONO2
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
23
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
107.5 x 45 x 17мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 37 829,61
тг 37 829,61 Each (ex VAT)
1
тг 37 829,61
тг 37 829,61 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 37 829,61 |
| 2 - 4 | тг 36 676,35 |
| 5 - 9 | тг 35 849,40 |
| 10 - 19 | тг 35 156,55 |
| 20+ | тг 35 067,15 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
35 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
210 Вт
Конфигурация
3-фазный мост
Тип корпуса
ECONO2
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
23
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
107.5 x 45 x 17мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.