Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
890 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Количество транзисторов
2
Максимальное рассеяние мощности
20 mW
Конфигурация
Двойной
Тип монтажа
Монтаж на панель
Страна происхождения
Hungary
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Infineon FF900R12ME7WBPSA1 Dual IGBT Module, 890 A 1200 V, Panel Mount
1
P.O.A.
Infineon FF900R12ME7WBPSA1 Dual IGBT Module, 890 A 1200 V, Panel Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
890 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Количество транзисторов
2
Максимальное рассеяние мощности
20 mW
Конфигурация
Двойной
Тип монтажа
Монтаж на панель
Страна происхождения
Hungary