Infineon BSM400GA120DN2 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
550 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
2,7 кВт
Конфигурация
Серия
Тип корпуса
Модуль 62MM
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Тип канала
N
Число контактов
5
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
106.4 x 61.4 x 36.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 77 965,74
тг 77 965,74 Each (ex VAT)
1
тг 77 965,74
тг 77 965,74 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 77 965,74 |
| 2 - 4 | тг 76 432,53 |
| 5 - 9 | тг 74 935,08 |
| 10 - 19 | тг 73 464,45 |
| 20+ | тг 72 020,64 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
550 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
2,7 кВт
Конфигурация
Серия
Тип корпуса
Модуль 62MM
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Тип канала
N
Число контактов
5
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
106.4 x 61.4 x 36.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.