Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
35 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
6 В
Тип корпуса
TSFP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
210 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
14 ГГц
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.2 x 0.8 x 0.55мм
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
тг 2 682,00
тг 53,64 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 2 682,00
тг 53,64 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 200 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
250 - 1200 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
1250 - 2450 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
2500 - 6200 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
6250+ | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
35 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
6 В
Тип корпуса
TSFP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
210 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
14 ГГц
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.2 x 0.8 x 0.55мм
Информация о товаре