Infineon BFR360FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 6 V, 3-Pin TSFP

Код товара RS: 892-2302Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BFR360FH6327XTSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

35 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

6 В

Тип корпуса

TSFP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

210 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

15 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

14 ГГц

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

1.2 x 0.8 x 0.55мм

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 682,00

тг 53,64 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Infineon BFR360FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 6 V, 3-Pin TSFP
Select packaging type

тг 2 682,00

тг 53,64 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Infineon BFR360FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 6 V, 3-Pin TSFP
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
50 - 200тг 53,64тг 2 682,00
250 - 1200тг 49,17тг 2 458,50
1250 - 2450тг 40,23тг 2 011,50
2500 - 6200тг 40,23тг 2 011,50
6250+тг 40,23тг 2 011,50

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

35 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

6 В

Тип корпуса

TSFP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

210 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

15 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

14 ГГц

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

1.2 x 0.8 x 0.55мм

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon