Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 4.1 V, 4-Pin SOT-343
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
4,1 В
Тип корпуса
SOT-343
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
4,8 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
0,5 В
Максимальная рабочая частота
45 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Информация о товаре
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
тг 7 822,50
тг 312,90 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 7 822,50
тг 312,90 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 475 | тг 312,90 | тг 7 822,50 |
| 500 - 975 | тг 219,03 | тг 5 475,75 |
| 1000 - 1475 | тг 174,33 | тг 4 358,25 |
| 1500 - 2975 | тг 169,86 | тг 4 246,50 |
| 3000+ | тг 165,39 | тг 4 134,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
4,1 В
Тип корпуса
SOT-343
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
4,8 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
0,5 В
Максимальная рабочая частота
45 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Информация о товаре
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon