Infineon BFP193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 4-Pin SOT-143

Код товара RS: 216-8343Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BFP193E6327HTSA1Distrelec Article No.: 30283853
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

80 mA

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

SOT-143

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Infineon BFP193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 4-Pin SOT-143

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Infineon BFP193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 4-Pin SOT-143

Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

80 mA

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

SOT-143

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1