Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
1.75A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
12нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
12A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 2 056,20
тг 205,62 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 056,20
тг 205,62 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 205,62 | тг 2 056,20 |
50 - 190 | тг 174,33 | тг 1 743,30 |
200 - 490 | тг 125,16 | тг 1 251,60 |
500 - 990 | тг 111,75 | тг 1 117,50 |
1000+ | тг 98,34 | тг 983,40 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
1.75A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
12нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
12A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.