Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-523
Максимальный непрерывный прямой ток
30mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
370мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
200mA
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 4 470,00
тг 44,70 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 4 470,00
тг 44,70 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
100 - 400 | тг 44,70 | тг 4 470,00 |
500 - 900 | тг 44,70 | тг 4 470,00 |
1000 - 2900 | тг 31,29 | тг 3 129,00 |
3000 - 5900 | тг 26,82 | тг 2 682,00 |
6000+ | тг 26,82 | тг 2 682,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-523
Максимальный непрерывный прямой ток
30mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
370мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
200mA
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.