Diodes Inc FZT603TA NPN Darlington Transistor, 2 A 80 V HFE:2000, 3 + Tab-Pin SOT-223

Код товара RS: 669-7394Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: FZT603TA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.95 V

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.13 V

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00001mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.7мм

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

3.7мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.65мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 190,30

тг 219,03 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Diodes Inc FZT603TA NPN Darlington Transistor, 2 A 80 V HFE:2000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Select packaging type

тг 2 190,30

тг 219,03 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Diodes Inc FZT603TA NPN Darlington Transistor, 2 A 80 V HFE:2000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 219,03тг 2 190,30
50 - 190тг 219,03тг 2 190,30
200 - 490тг 143,04тг 1 430,40
500 - 990тг 138,57тг 1 385,70
1000+тг 107,28тг 1 072,80

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.95 V

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.13 V

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00001mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.7мм

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

3.7мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.65мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc