Diodes Inc BCV49TA NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-89

Код товара RS: 738-4910Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: BCV49TA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.17мм

Длина

4.6мм

Ширина

2.6мм

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.17мм

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 570,25

тг 102,81 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Diodes Inc BCV49TA NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-89
Select packaging type

тг 2 570,25

тг 102,81 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Diodes Inc BCV49TA NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-89
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Лента
25 - 100тг 102,81тг 2 570,25
125 - 225тг 89,40тг 2 235,00
250 - 600тг 71,52тг 1 788,00
625 - 1225тг 67,05тг 1 676,25
1250+тг 62,58тг 1 564,50

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.17мм

Длина

4.6мм

Ширина

2.6мм

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.17мм

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc