Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-123
Максимальный непрерывный прямой ток
200mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
30V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
450мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
5нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
4A
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 4 693,50
тг 93,87 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 693,50
тг 93,87 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Лента |
---|---|---|
50 - 200 | тг 93,87 | тг 4 693,50 |
250 - 450 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
500 - 1450 | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
1500 - 2950 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
3000+ | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-123
Максимальный непрерывный прямой ток
200mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
30V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
450мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
5нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
4A
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.