Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
70mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
70V
Конфигурация диода
Серия
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
5нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
100mA
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 2 235,00
тг 89,40 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 235,00
тг 89,40 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 89,40 | тг 2 235,00 |
125 - 225 | тг 35,76 | тг 894,00 |
250 - 600 | тг 35,76 | тг 894,00 |
625 - 1225 | тг 35,76 | тг 894,00 |
1250+ | тг 31,29 | тг 782,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
70mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
70V
Конфигурация диода
Серия
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
5нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
100mA
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.