Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
200mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
5нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
600mA
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 2 346,75
тг 93,87 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 346,75
тг 93,87 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
125 - 225 | тг 67,05 | тг 1 676,25 |
250 - 600 | тг 40,23 | тг 1 005,75 |
625 - 1225 | тг 31,29 | тг 782,25 |
1250+ | тг 17,88 | тг 447,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
200mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
5нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
600mA
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.