Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Обнаруженные спектры
Инфракрасный
Максимальный ток освещения
80мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
±60 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
2.1 x 0.95 x 1.35мм
Ток коллектора
20mA
Максимальная определяемая длина волны
670нм
Спектральный диапазон чувствительности
470 → 670 нм
Минимальная определяемая длина волны
470нм
Высота
1.35мм
Длина
2.1мм
Ширина
0.95мм
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
тг 1 788,00
тг 178,80 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 788,00
тг 178,80 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 290 | тг 178,80 | тг 1 788,00 |
300 - 740 | тг 147,51 | тг 1 475,10 |
750 - 1490 | тг 134,10 | тг 1 341,00 |
1500 - 2990 | тг 120,69 | тг 1 206,90 |
3000+ | тг 107,28 | тг 1 072,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Обнаруженные спектры
Инфракрасный
Максимальный ток освещения
80мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
±60 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
2.1 x 0.95 x 1.35мм
Ток коллектора
20mA
Максимальная определяемая длина волны
670нм
Спектральный диапазон чувствительности
470 → 670 нм
Минимальная определяемая длина волны
470нм
Высота
1.35мм
Длина
2.1мм
Ширина
0.95мм
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.