Winslow W13028RC Переходник для гнезда ИС
Техническая документация
Характеристики
Сторона 1 тип соединителя
Внутренний
Тип стороны 2
DIP
Сторона 2 тип соединителя
Вилка
Сторона 2 количество контактов
8
Тип стороны 1
QFN
Сторона 1 количество контактов
8
Ориентация корпуса
Прямой
Сторона 2
8-контактный штекер (папа) DIP
Шаг
1.27 mm, 2.54 mm
Сторона 1
8-контактное гнездо (мама) QFN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
WinslowСтрана происхождения
United Kingdom
Информация о товаре
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 120 | P.O.A. |
| 125 - 370 | P.O.A. |
| 375 - 995 | P.O.A. |
| 1000 - 1995 | P.O.A. |
| 2000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Сторона 1 тип соединителя
Внутренний
Тип стороны 2
DIP
Сторона 2 тип соединителя
Вилка
Сторона 2 количество контактов
8
Тип стороны 1
QFN
Сторона 1 количество контактов
8
Ориентация корпуса
Прямой
Сторона 2
8-контактный штекер (папа) DIP
Шаг
1.27 mm, 2.54 mm
Сторона 1
8-контактное гнездо (мама) QFN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
WinslowСтрана происхождения
United Kingdom
Информация о товаре
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.