Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
80 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
80 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре