Texas Instruments ULN2003LVDR Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
140 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
8 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,49 В
Высота
1.5мм
Ширина
4мм
Максимальное рассеяние мощности
580 мВт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
10мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
A range of Darlington transistor arrays from Texas Instruments suitable for a wide range of medium to high current driver applications.
Darlington Transistor Drivers
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
140 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
8 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,49 В
Высота
1.5мм
Ширина
4мм
Максимальное рассеяние мощности
580 мВт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
10мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
A range of Darlington transistor arrays from Texas Instruments suitable for a wide range of medium to high current driver applications.