Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
6 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
тг 1 229,25
тг 245,85 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 1 229,25
тг 245,85 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 5 | тг 245,85 | тг 1 229,25 |
10 - 15 | тг 174,33 | тг 871,65 |
20 - 45 | тг 169,86 | тг 849,30 |
50 - 95 | тг 165,39 | тг 826,95 |
100+ | тг 111,75 | тг 558,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
6 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.