STMicroelectronics TIP31C Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 286,08
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 286,08
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 286,08 | тг 1 430,40 |
| 25 - 45 | тг 187,74 | тг 938,70 |
| 50 - 95 | тг 178,80 | тг 894,00 |
| 100 - 245 | тг 134,10 | тг 670,50 |
| 250+ | тг 134,10 | тг 670,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.