STMicroelectronics TIP132 NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:500, 3-Pin TO-220
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
500
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Длина
10.4мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
тг 1 788,00
тг 357,60 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 788,00
тг 357,60 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 357,60 | тг 1 788,00 |
| 25 - 45 | тг 326,31 | тг 1 631,55 |
| 50 - 95 | тг 317,37 | тг 1 586,85 |
| 100 - 245 | тг 312,90 | тг 1 564,50 |
| 250+ | тг 303,96 | тг 1 519,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
500
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Длина
10.4мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.