STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 795-8975Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB10NC60KDT4
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

20 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

тг 2 614,95

тг 522,99 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 614,95
10тг 4 023,00
15тг 6 034,50
20тг 8 046,00
25тг 10 057,50
30тг 12 069,00
35тг 14 080,50
40тг 16 092,00
45тг 18 103,50
50тг 20 115,00
55тг 22 126,50
60тг 24 138,00
65тг 26 149,50
70тг 28 161,00
75тг 30 172,50

тг 2 614,95

тг 522,99 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 614,95
10тг 4 023,00
15тг 6 034,50
20тг 8 046,00
25тг 10 057,50
30тг 12 069,00
35тг 14 080,50
40тг 16 092,00
45тг 18 103,50
50тг 20 115,00
55тг 22 126,50
60тг 24 138,00
65тг 26 149,50
70тг 28 161,00
75тг 30 172,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 522,99тг 2 614,95
10 - 95тг 402,30тг 2 011,50
100 - 495тг 321,84тг 1 609,20
500 - 995тг 295,02тг 1 475,10
1000+тг 223,50тг 1 117,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

20 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.