STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP STF18N60M2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
280 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
21,5 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
16.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 4 537,05
тг 907,41 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 4 537,05
тг 907,41 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 45 | тг 907,41 | тг 4 537,05 |
| 50 - 245 | тг 733,08 | тг 3 665,40 |
| 250 - 495 | тг 590,04 | тг 2 950,20 |
| 500 - 995 | тг 518,52 | тг 2 592,60 |
| 1000+ | тг 447,00 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
280 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
21,5 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
16.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).