STMicroelectronics BD680 PNP Darlington Transistor, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 178-1409Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD680
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Высота

10.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

7.8мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

7.8 x 2.7 x 10.8мм

Ширина

2.7мм

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics BD680 PNP Darlington Transistor, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

P.O.A.

STMicroelectronics BD680 PNP Darlington Transistor, 4 A 80 V HFE:750, 3-Pin SOT-32
Информация о наличии не успела загрузиться
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Высота

10.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

7.8мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

7.8 x 2.7 x 10.8мм

Ширина

2.7мм

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать