STMicroelectronics BD680 Пара Дарлингтона

Код товара RS: 109-090Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD680
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Высота

10.8мм

Размеры

7.8 x 2.7 x 10.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

7.8мм

Ширина

2.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать

тг 822,48

тг 822,48 Each (ex VAT)

STMicroelectronics BD680 Пара Дарлингтона
Select packaging type

тг 822,48

тг 822,48 Each (ex VAT)

STMicroelectronics BD680 Пара Дарлингтона

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 822,48
10 - 49тг 308,43
50 - 99тг 232,44
100 - 249тг 214,56
250+тг 210,09
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Высота

10.8мм

Размеры

7.8 x 2.7 x 10.8мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

7.8мм

Ширина

2.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать