STMicroelectronics BD237 NPN Transistor, 2 A, 80 V, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 485-9979Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD237
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

25

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

3 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 318,65

тг 263,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics BD237 NPN Transistor, 2 A, 80 V, 3-Pin SOT-32

тг 1 318,65

тг 263,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics BD237 NPN Transistor, 2 A, 80 V, 3-Pin SOT-32
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 263,73тг 1 318,65
25 - 45тг 183,27тг 916,35
50 - 95тг 174,33тг 871,65
100 - 245тг 147,51тг 737,55
250+тг 147,51тг 737,55

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

25

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

3 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.