STMicroelectronics 2SD882 NPN Transistor, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 686-8045Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: 2SD882
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

12,5 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 143,04

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics 2SD882 NPN Transistor, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-32
Select packaging type

тг 143,04

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics 2SD882 NPN Transistor, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-32
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 143,04тг 1 430,40
50 - 90тг 129,63тг 1 296,30
100 - 240тг 116,22тг 1 162,20
250 - 490тг 98,34тг 983,40
500+тг 84,93тг 849,30

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

12,5 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.