Sick WT2S-P211 Фотоэлектрический датчик
Техническая документация
Характеристики
Brand
SickВид датчика
Блок
Тип обнаружения
Background Suppression
Дальность обнаружения
1 → 15 mm
Тип выхода
PNP
Электрическое соединение
3-контактный разъем M8
Максимальное напряжение постоянного тока
30V
Источник света
Красный светодиод
Степень защиты
IP67, IP69K
Максимальная сила тока
50 мА
Время отклика
<0.6 ms
Минимальная рабочая температура
-20°C
Материал корпуса
ABS, пластик
Максимальная рабочая температура
+50°C
Страна происхождения
Germany
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
SickВид датчика
Блок
Тип обнаружения
Background Suppression
Дальность обнаружения
1 → 15 mm
Тип выхода
PNP
Электрическое соединение
3-контактный разъем M8
Максимальное напряжение постоянного тока
30V
Источник света
Красный светодиод
Степень защиты
IP67, IP69K
Максимальная сила тока
50 мА
Время отклика
<0.6 ms
Минимальная рабочая температура
-20°C
Материал корпуса
ABS, пластик
Максимальная рабочая температура
+50°C
Страна происхождения
Germany