Техническая документация
Характеристики
Brand
SharpТипичное время затухания
70000нс
Типичное время нарастания
80мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
27000мкА
Максимальный темновой ток
1000нА
Угол половинной чувствительности
26 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
Устройство бокового обзора
Размеры
3 x 2.95 x 4мм
Ток коллектора
50mA
Минимальная определяемая длина волны
860нм
Ширина
2.95мм
Длина
3мм
Высота
4мм
Информация о товаре
PT481 Series Phototransistors
The PT481 family, from Sharp, are a family of narrow acceptance phototransistors. They are in side looking (SL) epoxy resin packages with a domed lens on the side of the package. The PT481F devices have a black plastic package which offers a daylight blocking filter while the PT481 has a clear lens for visible and near IR radiation.
IR Phototransistors, Sharp
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 630,27
Each (ex VAT)
1
тг 630,27
Each (ex VAT)
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | тг 630,27 |
10 - 49 | тг 317,37 |
50 - 99 | тг 268,20 |
100 - 249 | тг 236,91 |
250+ | тг 214,56 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
SharpТипичное время затухания
70000нс
Типичное время нарастания
80мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
27000мкА
Максимальный темновой ток
1000нА
Угол половинной чувствительности
26 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
Устройство бокового обзора
Размеры
3 x 2.95 x 4мм
Ток коллектора
50mA
Минимальная определяемая длина волны
860нм
Ширина
2.95мм
Длина
3мм
Высота
4мм
Информация о товаре
PT481 Series Phototransistors
The PT481 family, from Sharp, are a family of narrow acceptance phototransistors. They are in side looking (SL) epoxy resin packages with a domed lens on the side of the package. The PT481F devices have a black plastic package which offers a daylight blocking filter while the PT481 has a clear lens for visible and near IR radiation.