Semikron SKM100GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
100 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±15.0V
Количество транзисторов
2
Конфигурация
Полумост
Вас может заинтересовать
P.O.A.Each (ex VAT)
P.O.A.Each (Supplied in a Box) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Semikron SKM100GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
8
P.O.A.
Semikron SKM100GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
Информация о наличии не успела загрузиться
8
Вас может заинтересовать
P.O.A.Each (ex VAT)
P.O.A.Each (Supplied in a Box) (ex VAT)
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
100 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±15.0V
Количество транзисторов
2
Конфигурация
Полумост
Вас может заинтересовать
P.O.A.Each (ex VAT)
P.O.A.Each (Supplied in a Box) (ex VAT)