Panasonic HC4HP24 Реле без блокировки
Техническая документация
Характеристики
Минимальная рабочая температура
-50°C
Maximum Switching Power AC
1.25 kVA
Максимальная рабочая температура
+70°C
Переключающий ток
5A
Изоляционная катушка на контакт
2кВ, среднеквадратичное
Maximum Switching Voltage AC
250V ac
Материал контактов
С покрытием из золота
Напряжение обмотки
24В пост. тока
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип клеммы
Монтаж на плату в отверстия
Конфигурация контактов
4PDT
Длина
20.8мм
Срок службы
100000000 (DC Mechanical) cycles, 200000 (Electrical) cycles, 50000000 (AC Mechanical) cycles
Глубина
27.2мм
Мощность обмотки
900мВт
Высота
35.2мм
Сопротивление обмотки
650 <Ом/>
Brand
PanasonicСтрана происхождения
Japan
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Техническая документация
Характеристики
Минимальная рабочая температура
-50°C
Maximum Switching Power AC
1.25 kVA
Максимальная рабочая температура
+70°C
Переключающий ток
5A
Изоляционная катушка на контакт
2кВ, среднеквадратичное
Maximum Switching Voltage AC
250V ac
Материал контактов
С покрытием из золота
Напряжение обмотки
24В пост. тока
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип клеммы
Монтаж на плату в отверстия
Конфигурация контактов
4PDT
Длина
20.8мм
Срок службы
100000000 (DC Mechanical) cycles, 200000 (Electrical) cycles, 50000000 (AC Mechanical) cycles
Глубина
27.2мм
Мощность обмотки
900мВт
Высота
35.2мм
Сопротивление обмотки
650 <Ом/>
Brand
PanasonicСтрана происхождения
Japan
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.