QSD123 onsemi, ±12 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin T-1 3/4 package

Код товара RS: 184-1423PБренд: onsemiПарт-номер производителя: QSD123
brand-logo
Просмотреть все в Фототранзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Обнаруженные спектры

Инфракрасный

Типичное время затухания

7мкс

Типичное время нарастания

7мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Угол половинной чувствительности

±12 °

Количество контактов

2

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

T-1 3/4

Размеры

6.1 Dia. x 8.77мм

Ток коллектора

16mA

Диаметр

6.1мм

Максимальная определяемая длина волны

880нм

Спектральный диапазон чувствительности

880 nm

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

8.77мм

Напряжение насыщения

0.4V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

QSD123 onsemi, ±12 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin T-1 3/4 package
Select packaging type

Производственная упаковка (Сумка)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 1
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

QSD123 onsemi, ±12 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin T-1 3/4 package
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Сумка)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 1
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Spectrums Detected

Infrared

Обнаруженные спектры

Инфракрасный

Типичное время затухания

7мкс

Типичное время нарастания

7мкс

Количество каналов

1

Максимальный темновой ток

100нА

Угол половинной чувствительности

±12 °

Количество контактов

2

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

T-1 3/4

Размеры

6.1 Dia. x 8.77мм

Ток коллектора

16mA

Диаметр

6.1мм

Максимальная определяемая длина волны

880нм

Спектральный диапазон чувствительности

880 nm

Напряжение эмиттер-коллектор

5V

Напряжение коллектор-эмиттер

30V

Тип выходного сигнала

Phototransistor

Высота

8.77мм

Напряжение насыщения

0.4V