Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiSpectrums Detected
Infrared
Обнаруженные спектры
Инфракрасный
Типичное время затухания
50мкс
Типичное время нарастания
10мкс
Количество каналов
1
Максимальный темновой ток
100нА
Количество контактов
4
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
Custom 4L
Размеры
4.39 x 6.1 x 4.65мм
Ток коллектора
1 (Minimum)mA
Максимальная определяемая длина волны
940нм
Спектральный диапазон чувствительности
940 нм
Напряжение эмиттер-коллектор
5V
Напряжение коллектор-эмиттер
30V
Длина
4.39мм
Ширина
6.1мм
Тип выходного сигнала
Phototransistor
Высота
4.65мм
Напряжение насыщения
0.4V
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Сумка)
10
P.O.A.
Производственная упаковка (Сумка)
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiSpectrums Detected
Infrared
Обнаруженные спектры
Инфракрасный
Типичное время затухания
50мкс
Типичное время нарастания
10мкс
Количество каналов
1
Максимальный темновой ток
100нА
Количество контактов
4
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
Custom 4L
Размеры
4.39 x 6.1 x 4.65мм
Ток коллектора
1 (Minimum)mA
Максимальная определяемая длина волны
940нм
Спектральный диапазон чувствительности
940 нм
Напряжение эмиттер-коллектор
5V
Напряжение коллектор-эмиттер
30V
Длина
4.39мм
Ширина
6.1мм
Тип выходного сигнала
Phototransistor
Высота
4.65мм
Напряжение насыщения
0.4V