Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiПиковая длина волны
945нм
Тип корпуса
Боковой обзор
Интенсивность излучения
12мВт/ср
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Угол половинной интенсивности
50°
Количество светодиодов
1
Количество контактов
2
Размеры
4.44 x 4.44 x 5.08мм
Материал светодиода
GaAs
Максимальное напряжение питания
1.5V
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
ON Semiconductor QEE113 Инфракрасный светодиод
500
P.O.A.
ON Semiconductor QEE113 Инфракрасный светодиод
Информация о наличии не успела загрузиться
500
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiПиковая длина волны
945нм
Тип корпуса
Боковой обзор
Интенсивность излучения
12мВт/ср
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Угол половинной интенсивности
50°
Количество светодиодов
1
Количество контактов
2
Размеры
4.44 x 4.44 x 5.08мм
Материал светодиода
GaAs
Максимальное напряжение питания
1.5V