onsemi NUF2114MNT1G, Quad-Element Bi-Directional ESD Protection Diode, 0.36W, 8-Pin DFN8
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Матрица
Минимальное пробивное напряжение
13.7V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DFN8
Максимальное обратное напряжение стабилизации
12V
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности
0.36W
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Размеры
2 x 2 x 0.95мм
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Емкость
66пФ
Длина
2мм
Высота
0.95мм
Ширина
2мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре
EMI Filter with ESD Protection, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
тг 4 023,00
тг 160,92 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 4 023,00
тг 160,92 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 25 - 25 | тг 160,92 | тг 4 023,00 |
| 50 - 75 | тг 147,51 | тг 3 687,75 |
| 100 - 225 | тг 125,16 | тг 3 129,00 |
| 250 - 475 | тг 125,16 | тг 3 129,00 |
| 500+ | тг 116,22 | тг 2 905,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Матрица
Минимальное пробивное напряжение
13.7V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DFN8
Максимальное обратное напряжение стабилизации
12V
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности
0.36W
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Размеры
2 x 2 x 0.95мм
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Емкость
66пФ
Длина
2мм
Высота
0.95мм
Ширина
2мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре