Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
300 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
100нА
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
300 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
100нА
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C