Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
5 to 30mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
30V
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное сопротивление сток-исток
100 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
14пФ
Емкость исток-затвор
14пФ
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 53,64
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 53,64
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 50 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
100 - 200 | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
250 - 450 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
500 - 950 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
1000+ | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
5 to 30mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
30V
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное сопротивление сток-исток
100 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
14пФ
Емкость исток-затвор
14пФ
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.4мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.