ON Semiconductor MJD45H11-1G Транзистор

Brand

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

10 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

20 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.22мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia