onsemi MJD44H11G NPN Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 102-2272Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD44H11G
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,75 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

85 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм

Страна происхождения

Czech Republic

Информация о товаре

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MJD44H11G NPN Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin DPAK

75

Доступно в кратности 1
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

P.O.A.

onsemi MJD44H11G NPN Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin DPAK
Информация о наличии не успела загрузиться

75

Доступно в кратности 1
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,75 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

85 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм

Страна происхождения

Czech Republic

Информация о товаре

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.