Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 5mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное сопротивление сток-исток
50 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
28пФ
Емкость исток-затвор
28пФ
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.2мм
Высота
5.33мм
Ширина
4.19мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 67,05
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 67,05
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 200 | тг 67,05 | тг 3 352,50 |
250 - 450 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
500 - 2450 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
2500 - 4950 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
5000+ | тг 26,82 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 5mA
Максимальное напряжение затвор-исток
-35 В
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное сопротивление сток-исток
50 Ω
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-92
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
28пФ
Емкость исток-затвор
28пФ
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.2мм
Высота
5.33мм
Ширина
4.19мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.